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关于IGBT管的检测分享

返回列表来源:尚想 发布日期: 2021.06.02 浏览:9

双极型晶体管MOSFET组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件,即为广泛应用的IGBT

很多产品中,都能找到IGBT的广泛应用,例如:电磁炉、变频器、开关电源、电机控制、电焊机等等,在产品维修的过程中,需要检测其中的IGBT是否有损坏,以决定是否需要更换。在维修的过程中,会有不同的情况,比如,不带阻尼的二极管,或者是一个以上的多个的单个IGBT组合成的多元模块 等,会给产品维修中对于IGBT检测判断的增加一定的难度。

其实检测IGBT管的性能是否有损坏也不难,当我们足够熟悉不带阻尼的二极管,即单个IGBT管时,在此基础上,通过分析所检测型号管内部电路,便能得出结论。

IGBT管内部PN结的结构而言,在检测不带阻尼二极管的IGBT管时,选择指针万用表Rx10k,将红笔连接c,黑笔连接E,阻值约400kΩ,将红笔和黑笔对调一下再次测量阻值则为无穷大。把黑笔连接G级,红笔连接另外两级进行检测,再对调一下红笔和黑笔进行检测,两次检测表针都是微微摆动后停留在,即阻值都很大。

若是检测带阻尼二极管的IGBT管,以IGBTFGA25N120ANTD为例:在集电集电极C发射极E二者间并联着二极管,使用MF-47型万用表Rx1k,将黑笔连接E极,红笔连接C极,可测得管的正向阻值是6kΩ左右,对调下红笔和黑笔再做测量,测得阻值为无穷大。然后选择Rx10kΩ挡,红笔连接C极或E,黑笔连接G,测量后同样再对调黑笔和红笔做测量,测得的阻值均为无穷大。

 类似于测量容量很小的电容器,只有在一次测量后,管子电极发生短路放电,再测量时才发生的这种现象,即为充电现象

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