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NDT3055
  • NDT3055

NDT3055

产品介绍:NDT3055: N 沟道增强型场效应晶体管 60V,4A,100mΩ。 此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,可提供出色的开关性能。

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产品参数Product parameters

产品型号

制造商

产品种类

封装

通道数量

晶体管极性

晶体管类型

NDT3055

onsemi

MOSFET

SOT-223-4

1Channel

 N-Channel

1N-Channel

配置

Vds-漏源极击穿电压

Id-连续漏极电流

Rds On-漏源导通电阻

系列

最小工作温度

最大工作温度

Single

60V

4A

100mOhms

NDT3055

-65℃

+150℃

产品介绍Product introduction

NDT3055: N 沟道增强型场效应晶体管 60V,4A,100mΩ。
此类 N 沟道增强型电场效应晶体管是使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻,可提供出色的开关性能。此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用,如直流电机控制和 DC/DC 转换。

NDT3055 600 386

 

外形尺寸Overall dimensions

NDT3055 外形尺寸 

引脚图Overall dimensions

NDT3055 引脚图 

 

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